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NTMFS4937N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 30V, 70A, 4.5mΩ; • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Improve System Efficiency\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Improve Switching Performance\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n• Improve Switching Performance\n• RoHS Compliant\n; This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937N	文件：148.85 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 70 A, Single N?묬hannel, SO?? FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937N	文件：124.18 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937N_13	文件：124.18 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937NT1G	文件：148.85 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 70 A, Single N?묬hannel, SO?? FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937NT1G	文件：124.18 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937NT3G	文件：148.85 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 70 A, Single N?묬hannel, SO?? FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4937NT3G	文件：124.18 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
70
PD Max (W)：
2.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
6
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
11.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
31
Ciss Typ (pF)：
2516
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTMFS4937N供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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