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NTMFS4936N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道功率 MOSFET 30V，79A，3.8mΩ; • Low RDS(on), Low Capacitance and Optimized Gate Charge\n• Minimize Conduction, Driver and Switching Losses\n• Next Generation Enhanced Body Diode, Engineered for SoftRecovery\n• Provides Schottky−Like Performance\n• RoHS Compliant\n; This is a 30 V N-Channel Power MOSFET.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936N	文件：144.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N?묬hannel, SO?? FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936N	文件：122.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936N_12	文件：122.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936NCT1G	文件：122.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936NCT3G	文件：122.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936NT1G	文件：144.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N?묬hannel, SO?? FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936NT1G	文件：122.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936NT3G	文件：144.29 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 V, 79 A, Single N?묬hannel, SO?? FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4936NT3G	文件：122.24 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
79
PD Max (W)：
43
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.8
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
12.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
19
Ciss Typ (pF)：
3044
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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更多NTMFS4936N供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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