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NTMFS4834N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，130A，3mΩ; • Low rDS(on) to Minimize Conduction Losses\n• Low Capacitance to Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses\n; Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N-Channel, SO-8 FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834N	文件：140.72 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N?묬hannel, SO??FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834N	文件：144.14 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30V 130A Single N-Channel, SO-8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834N_12	文件：144.14 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30V 130A Single N-Channel, SO-8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834NT1G	文件：140.72 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N?묬hannel, SO??FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834NT1G	文件：144.14 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30V 130A Single N-Channel, SO-8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834NT3G	文件：140.72 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30 V, 130 A, Single N?묬hannel, SO??FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS4834NT3G	文件：144.14 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 30V 130A Single N-Channel, SO-8FL	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
130
PD Max (W)：
20.8
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
4
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
11.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
74
Ciss Typ (pF)：
4500
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NTMFS4834N供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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