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NTMFS23D9N06HLT1G数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

NTMFS23D9N06HLT1G

参数属性

NTMFS23D9N06HLT1G 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:T8 60V LOW COSS

功能描述

MOSFET T8 60V LOW COSS
T8 60V LOW COSS

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:07:00

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NTMFS23D9N06HLT1G规格书详情

简介

NTMFS23D9N06HLT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NTMFS23D9N06HLT1G晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NTMFS23D9N06HLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    8.1A(Ta),23A(Tc)

  • 描述:

    T8 60V LOW COSS

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