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NTMFS0D9N03CG	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET，功率，30V，N 沟道，SO8FL; • Wide SOA\n• Improve Inrush Current Management\n• Ultra Low RDS(on)\n• Improve System Efficiency\n• Advanced SO8FL 5x6mm Package\n• Improve Thermal Performance\n; Power MOSFET, 30V N-Channel, 0.9mΩ, 298A, SO8FL 5x6mm	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS0D9N03CG	文件：166.32 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.9 m, 298 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS0D9N03CGT1G	文件：166.32 Kbytes Page：7 Pages	Marking：0D9NG；Package：DFN5；MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.9 m, 298 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTMFS0D9N03CG

文件：300 bytes

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MOSFET，功率，30V，N 沟道，SO8FL; • Wide SOA\n• Improve Inrush Current Management\n• Ultra Low RDS(on)\n• Improve System Efficiency\n• Advanced SO8FL 5x6mm Package\n• Improve Thermal Performance\n;

Power MOSFET, 30V N-Channel, 0.9mΩ, 298A, SO8FL 5x6mm

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MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.9 m, 298 A

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NTMFS0D9N03CGT1G

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Marking：0D9NG；Package：DFN5；MOSFET - Power, Single N-Channel, SO8-FL 30 V, 0.9 m, 298 A

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
298
PD Max (W)：
144
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.9
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
131.4
Ciss Typ (pF)：
9550
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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