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NTMFS002P03P8Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL; • Ultra Low RDS(on)\n• Improve System Efficiency\n• Advanced Package Technology in 5x6mm\n• Provide Space Saving and improve Thermal Conduction\n; MOSFET, Power -30V P-Channel, 1.7mΩ @10V, 226A, SO-8FL Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS002P03P8Z	文件：179.16 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.4 m, -263 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS002P03P8ZT1G	文件：179.16 Kbytes Page：7 Pages	Marking：02P3；Package：SO8-FL；MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.4 m, -263 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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文件：300 bytes

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MOSFET, Power -30V P-Channel, SO-8FL; • Ultra Low RDS(on)\n• Improve System Efficiency\n• Advanced Package Technology in 5x6mm\n• Provide Space Saving and improve Thermal Conduction\n;

MOSFET, Power -30V P-Channel, 1.7mΩ @10V, 226A, SO-8FL Package

ONSEMION Semiconductor

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MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.4 m, -263 A

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Marking：02P3；Package：SO8-FL；MOSFET - Power, Single P-Channel, SO8-FL -30 V, 1.4 m, -263 A

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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Product Preview
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
±25
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
226
PD Max (W)：
138.9
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
2.8
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.7
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
242
Ciss Typ (pF)：
14712
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市胜彬电子有限公司	NTMFS002P03P8ZT1G	ON/安森美	22+	DFN55X6	9000	原装正品,支持实单!	询价
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