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NTMFD4C85NT1G

N-Channel SO8FL

文件:134.3 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTMFD4C85NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

ONSEMI

安森美半导体

NTMFS4C302NT1G

SO-8 FL

ON

NTMFS5C426NT1G

SO-8FL

ON

NTMFS5C612NLT1G

DFN-5

ON

技术参数

  • FET 功能:

    标准

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    15.4A,29.7A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    3 毫欧 @ 20A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2.1V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    32nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1960pF @ 15V

  • 功率 - 最大值:

    1.13W

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(5x6)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTMFD4C85NT1G供应商 更新时间2026-2-4 21:09:00