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NTMD4820N中文资料双 N 沟道,功率 MOSFET,30V,8.0A,20mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMD4820N

功能描述

双 N 沟道,功率 MOSFET,30V,8.0A,20mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 14:31:00

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NTMD4820N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 30 V, 8 A, Dual N-Channel, SOIC-8

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
• Dual SOIC-8 Surface Mount Package Saves Board Space

应用 Application

• Disk Drives
• DC-DC Converters
• Printers

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMD4820N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :8

  • PD Max (W)

    :1.28

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.7

  • Ciss Typ (pF)

    :940

  • Package Type

    :SOIC-8

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