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NTMD3P03中文资料Dual P-Channel Power MOSFET -30V, -3.05A, 85mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMD3P03

功能描述

Dual P-Channel Power MOSFET -30V, -3.05A, 85mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:25:00

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NTMD3P03规格书详情

描述 Description

Power MOSFET
-3.05 Amps, -30 Volts
Dual P−Channel SOIC−8

特性 Features

• High Efficiency Components in a Dual SO-8 Package
• High Density Power MOSFET with Low RDS(on)
• Miniature SOIC-8 Surface Mount Package -- Saves Board Space
• Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for the SO-8 Package is Provided
• RoHS Compliant

应用 Application

• DC-DC Converters
• Low Voltage Motor Control
• Power Management in Portable and Battery-Powered Products
• Computers, Printers, PCMCIA Cards, Cellular & Cordless Telephones

技术参数

  • 制造商编号

    :NTMD3P03

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-3.05

  • PD Max (W)

    :0.73

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=125

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=85

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :12

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :520

  • Package Type

    :SOIC-8

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