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NTLUS3A39PZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 P 沟道，功率 MOSFET，带 ESD 防护，-20V，-5.2A，39mΩ Power MOSFET -20V -5.2A 39 mOhm Single P-Channel uDFN6 with ESD Protection • UDFN Package with Exposed Drain Pads \n• Excellent Thermal Conduction\n• Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm \n• Board Space Saving\n• Ultra Low RDS(on)\n• Efficiency Improvement\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Single P-Channel Power MOSFET with ESD Protection -20V -5.2A 39mΩ
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
1
ID Max (A)：
5.2
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
39
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
12.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
10.4
Ciss Typ (pF)：
920
Package Type：
UDFN-6

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