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SD1102	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1102BD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1102CHP	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1102DD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SD1102HD	文件：106.12 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEHIGH-VOLTAGED-MOSPOWERFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SDS1102	文件：1.18508 Mbytes Page：2 Pages	super-economicaltypedigitalstorageoscilloscope +Bandwidth:20MHz-200MHz +2-Channel +Samplerate:100MS/s-1GS/s +Ultra-thinbody +7inchhighresolutionLCD +SCPI,andLabVIEWsupported	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SDS1102X-E	文件：1.35042 Mbytes Page：20 Pages	100MHz,200MHzbandwidthmodels	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SF1102B	文件：128.669 Kbytes Page：3 Pages	230MHzSAWFilter 230MHzSAWFilter •DesignedforWCDMA3GIFApplications •QuartzTemperatureStability •SmallSize •Hermetic7x5Surface-MountCase •ComplieswithDirective2002/95/EC(RoHS)	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
SFT1102	文件：62.03 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-VoltageSwitchingApplications PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •AdoptionofFBET,MBITprocesses. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Highallowablepowerdissipation. Applications •DC/DCconverters,relaydrivers,lampdrivers,motor	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SHF1102SM	文件：199.17 Kbytes Page：2 Pages	1AMP50-300VOLTS35nsecHYPERFASTRECTIFIER Features: •HyperFastRecovery:35nsecMax. •PIVto300Volts •HermeticallySealedSurfaceMountPackage •VoidFreeConstruction •ForHighEfficiencyApplications •SingleChipConstruction •ReplacesforUES1104Types •TX,TXV,andS-LevelScreeningAvailable2/	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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详细参数

型号：
NTLJS1102PTAG
功能描述：
MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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