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PCF2105	文件：289.01 Kbytes Page：48 Pages	LCDcontroller/driver GENERALDESCRIPTION ThePCF2105integratedcircuitissimilartothePCF2114x(describedinthe“PCF2116family”datasheet)butdoesnotcontainthehighvoltagegeneratorofthatdevice. Furthermore,afastI2C-businterface(400kHz)isprovided. ThePCF2105isoptimizedforchip-on-gl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PCF2105MU	文件：289.01 Kbytes Page：48 Pages	LCDcontroller/driver GENERALDESCRIPTION ThePCF2105integratedcircuitissimilartothePCF2114x(describedinthe“PCF2116family”datasheet)butdoesnotcontainthehighvoltagegeneratorofthatdevice. Furthermore,afastI2C-businterface(400kHz)isprovided. ThePCF2105isoptimizedforchip-on-gl	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PLM2105DR	文件：1.38329 Mbytes Page：25 Pages	LM2105105-V,0.5-A/0.8-AHalf-BridgeDriverwith5-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •5-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •105-VmaximumrecommendedvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLM2105DR	文件：1.21212 Mbytes Page：28 Pages	LM2105105-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith5-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •5-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •105-VmaximumrecommendedvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLM2105DR	文件：2.26393 Mbytes Page：32 Pages	LM2105107-V,0.5-A,0.8-AHalf-BridgeDriverwith5-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •5-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •107-VabsolutemaximumvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurrent	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PLM2105DSGR	文件：1.38329 Mbytes Page：25 Pages	LM2105105-V,0.5-A/0.8-AHalf-BridgeDriverwith5-VUVLOandIntegratedBootstrapDiode 1Features •DrivestwoN-channelMOSFETsinhalf-bridge configuration •Integratedbootstrapdiode •5-VtypicalundervoltagelockoutonGVDD •105-VmaximumrecommendedvoltageonBST •–19.5-Vabsolutemaximumnegativetransient voltagehandlingonSH •0.5-A/0.8-Apeaksource/sinkcurr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PM2105	文件：834.37 Kbytes Page：4 Pages	1WATTRFICPOWERAMPLIFIER800TO2000MHZOPERATION	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PTFA2105	文件：333.05 Kbytes Page：2 Pages	Verticallevelsensor	CELDUCcelduc Relais 凡纪继电器凡纪继电器（上海）有限公司	CELDUC
PV2105	文件：651.89 Kbytes Page：2 Pages	Wide-Input,SynchronousBuckDigitalControllerwithAuto-Control&SMBus??PMBus??forUSB-PD	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RF2105	文件：70.27 Kbytes Page：8 Pages	HIGHPOWERLINEARUHFAMPLIFIER ProductDescription TheRF2105Lisahighpower,highefficiencylinearamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierindigitalcellularphonetransmittersorISMa	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

详细参数

型号：
NTLJD2105LTBG
功能描述：
MOSFET 8 V-4.3A HS LOADSW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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