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RN2104	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104	文件：256.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104ACT	文件：196.37 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensityfabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104CT	文件：195.31 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingApplicationsInverterCircuitApplicationsInterfaceCircuitApplicationsDriverCircuitApplications SwitchingApplications InverterCircuitApplications InterfaceCircuitApplications DriverCircuitApplications •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermorecompactequipmentandsaveassemblycost	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN2104MFV	文件：206.92 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,soenablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RO2104	文件：146.78 Kbytes Page：2 Pages	303.825MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RO2104A	文件：100.5 Kbytes Page：2 Pages	303.825MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RO2104D	文件：97.07 Kbytes Page：2 Pages	303.825MHzSAWResonator	rfm RF Monolithics, Inc	rfm
RS2104SPbF	文件：665.13 Kbytes Page：15 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
NTLJD2104PTAG
功能描述：
MOSFET PFET WDFN 12V 90MOHM 3.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	NTLJD2104PTAG	ON	24+	QFN	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
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更多NTLJD2104PTAG供应商更新时间2025-5-29 22:30:00

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