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NTLGF3402P	文件：91.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.9 A FETKY, P?묬hannel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 文件：91.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLGF3402PT1G	文件：91.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.9 A FETKY, P?묬hannel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 文件：91.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLGF3402PT2G	文件：91.66 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET and Schottky Diode ??0 V, ??.9 A FETKY, P?묬hannel, 2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 文件：91.66 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTLGF3402P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel Power MOSFET and Schottky Diode -20V -3.9A 140mΩ Power MOSFET and Schottky Diode\n−20 V, −3.9 A FETKY®\u0002, P−Channel,\n2.0 A Schottky Barrier Diode, DFN6 • Flat Lead 6 Terminal Package 3x3x1\n• Enhanced Thermal Characteristics\n• Low VF and Low Leakage Schottky Diode\n• Reduced Gate Charge to Improve Switching Response;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Single P-Channel Power MOSFET and Schottky Diode -20V -3.9A 140mΩ
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
Condition
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
-2
ID Max (A)：
-3.9
PD Max (W)：
1.5
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
225
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
140
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
3.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.8
Ciss Typ (pF)：
230
Package Type：
DFN-6

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