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NTK3139PT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTK3139PT1G

功能描述

Power MOSFET ??0 V, ??80 mA, Single P?묬hannel with ESD Protection, SOT??23

文件大小

59.59 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-10-12 18:00:00

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NTK3139PT1G规格书详情

Power MOSFET −20 V, −780 mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT−723

特性 Features

• P−channel Switch with Low RDS(on)

• 44 Smaller Footprint and 38 Thinner than SC−89

• Low Threshold Levels Allowing 1.5 V RDS(on) Rating

• Operated at Low Logic Level Gate Drive

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

• Load/Power Switching

• Interfacing, Logic Switching

• Battery Management for Ultra Small Portable Electronics

产品属性

  • 型号:

    NTK3139PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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