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NTJS3151P中文资料单 P 沟道沟槽功率 MOSFET,带 ESD 保护 -12V -3.3A 60mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTJS3151P

功能描述

单 P 沟道沟槽功率 MOSFET,带 ESD 保护 -12V -3.3A 60mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-4 11:50:00

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NTJS3151P规格书详情

描述 Description

Small Signal MOSFET -12V -3.3A 60 mOhm Single P-Channel SC-88 with ESD Protection

特性 Features

• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
• SC-88 Small Outline (2x2 mm, SC70-6 Equivalent)
• Gate Diodes for ESD Protection
• RoHS Compliant

应用 Application

• High Side Load Switch
• Cell Phones
• Computing
• Digital Cameras
• MP3s
• PDAs

技术参数

  • 制造商编号

    :NTJS3151P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-

  • ID Max (A)

    :2.7

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :67

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :45

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.75

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8.6

  • Ciss Typ (pF)

    :850

  • Package Type

    :SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6

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