NTJD4105C中文资料互补，小信号 MOSFET数据手册ONSEMI规格书
NTJD4105C规格书详情
描述 Description
This complementary dual device was designed with a small package (2 x 2 mm) and low RDS(on) MOSFETs for minimum footprint and increased circuit efficiency.The low RDS(on) performance is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.
特性 Features
• Complementary N and P Channel Device
• ESD Protected Gate-ESD Rating:Class 1
• SC-88 Package for Small Footprint (2x2mm)
应用 Application
• DC-DC Conversion
• Load/Power Switching
• Single or Dual Cell Li-Ion Battery Supplied Devices
• MP3s
• Digital Cameras
• PDAs
技术参数
- 制造商编号
：NTJD4105C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：0
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.63
- PD Max (W)
：0.27
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：N:445.0
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N: 375.0
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：0.9
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.3
- Ciss Typ (pF)
：N(20V):33
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-363 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
ONS |
23+ |
NTJD4105CT1 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
ON |
25+23+ |
SOT363 |
25394 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT363 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-363-6 |
18000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-363-6 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
SOT-363 |
7500 |
询价 | |||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-363 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
