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NTHL060N090SC1_V01	文件：764.08 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 60 mohm, 900V, M2, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=87nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=113pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecond	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG060N090SC1_V01	文件：794.72 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–60mohm,900V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=88nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=115pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−F	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 60 mohm, 900V, M2, TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=87nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=113pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecond

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Features •Typ.RDS(on)=60m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=43m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=88nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=115pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−F

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