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NTHL032N065M3S	文件：436.51 Kbytes Page：9 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L Features •TypicalRDS(on)=32m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=114pF) •100%AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG032N065M3S	文件：468.1 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,32mohm,650V,M3S,D2PAK-7L Features •TypicalRDS(ON)=32m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=113pF) •100%AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onSecondLevelInterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBL032N065M3S	文件：589.22 Kbytes Page：12 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,32mohm,650V,M3S,TOLL Features •TypicalRDS(on)=32m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=113pF) •100%AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelinterconnection)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG032N065M3S	文件：470.52 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET-EliteSiC,32mohm,650V,M3S,D2PAK-7L Features •TypicalRDS(ON)=32m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=55nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=113pF) •100%AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithExemption7a, Pb−Free	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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