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NTHL020N090SC1_V01	文件：334.99 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 900V, M2, TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=196nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=296pF) •100UILTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlevelint	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTBG020N090SC1_V01	文件：325.98 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–EliteSiC,20mohm,900V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=200nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Coss=295pF) •100AvalancheTested •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondlev	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVBG020N090SC1_V01	文件：327.54 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,900V,M2,D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=200nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=295pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSComplia	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVHL020N090SC1_V01	文件：336.43 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–20mohm,900V,M2,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=20m@VGS=15V •Typ.RDS(on)=16m@VGS=18V •UltraLowGateCharge(typ.QG(tot)=196nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(typ.Coss=296pF) •100UILTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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