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NTHD4508NT1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
NTHD4508NT1
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.1A Dual
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4750 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
24+ |
1206-8 |
80000 |
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ON |
24+ |
1206-8 |
20000 |
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ON |
04+ |
1206-8 |
6000 |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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ON/安森美 |
22+ |
1206-8 |
25000 |
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ON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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ONS |
23+ |
NTHD4508NT1 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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