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NTHD4102PT1中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
NTHD4102PT1
- 功能描述：
MOSFET -20V -4.1A Dual
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
16750 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
2016+ |
SMD8 |
12000 |
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大量库存ON |
20+ |
ChipFET |
49000 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
ON |
24+ |
1206-8 |
20000 |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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ONS |
23+ |
NTHD4102PT1G |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
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ON |
25+ |
SSOP-8L |
2659 |
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SOT23-8 |
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ON |
13 |
1206-8 |
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