首页 >NTHD3100>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NTHD3100C

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

文件:153.61 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100CT1

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

文件:153.61 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100CT1G

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

文件:153.61 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100CT3

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

文件:153.61 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100CT3G

Power MOSFET 20 V, 3.9 A /??.4 A, Complementary ChipFET

文件:153.61 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100F

Typical Uses for FETKY Devices

文件:295.52 Kbytes 页数:2 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD3100C

互补,ChipFET™,功率 MOSFET,20V

Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.9 A/-4.4 A ChipFET™ • Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET\n• Small Size, 40% Smaller then TSOP-6 Package\n• Leadless SMD Package Provides Great Thermal Charcteristics\n• Trench P-Channel for Low On Resistance\n• Low Gate Charge N-Channel for Test Switching;

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTHD3100

  • 功能描述:

    MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
25+
1206-8
20300
ONSEMI/安森美原装特价NTHD3100CT1G即刻询购立享优惠#长期有货
询价
ON/安森美
22+
SOT23-8
6000
原装正品
询价
ON/安森美
24+
SOT23-8
13048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
ON(安森美)
23+
ChipFET-8
9218
公司只做原装正品,假一赔十
询价
ON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
询价
ON(安森美)
2511
ChipFET-8
5904
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
ONSemiconductor
24+
ChipFET
7500
询价
ON
24+/25+
2790
原装正品现货库存价优
询价
PANASONIC
23+
SOD323
5000
原装正品,假一罚十
询价
ON
1708+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
询价
更多NTHD3100供应商 更新时间2025-10-5 9:04:00