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NTHC5513	文件：89.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 20 V, 3.9 A / ??.0 A, Complementary ChipFET-TM 文件：89.59 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHC5513	文件：96.24 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：96.24 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHC5513	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补，ChipFET™，功率 MOSFET，20V This complementary (N and P Channel) device was designed with a small footprint package and ON Semiconductor's leading low RDS(on) technology for increased circuit efficiency.The performance is ideally suited for portable or handheld applications. • Complentary N-Channel and P-Channel MOSFET\n• Small Size, 40% Smaller than TSOP-6 Package\n• Leadless SMD Package Featuring Complementary Pair\n• ChipFET™ Package Provides Great Thermal Characteristics Similar to Larger Packages\n• Low RDS(on) in a ChipFET™ Package for High Efficiency Performa;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHC5513_16	文件：96.24 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：96.24 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHC5513T1	文件：89.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 20 V, 3.9 A / ??.0 A, Complementary ChipFET-TM 文件：89.59 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHC5513T1G	文件：96.24 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：96.24 Kbytes 页数：9 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTHC5513T1G	文件：89.59 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET 20 V, 3.9 A / ??.0 A, Complementary ChipFET-TM 文件：89.59 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
Complementary
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
±20
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.2
ID Max (A)：
2.9
PD Max (W)：
1.1
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
N
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
N
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
2.3
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
6
Ciss Typ (pF)：
N
Package Type：
ChipFET-8

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