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NTH4L075N065SC1	文件：320 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide SiC MOSFET - 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=57m@VGS=18V Typ.RDS(on)=75m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=61nC) •LowOutputCapacitance(Coss=107pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondle	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L075N065SC1

文件：320 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide SiC MOSFET - 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features •Typ.RDS(on)=57m@VGS=18V Typ.RDS(on)=75m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=61nC) •LowOutputCapacitance(Coss=107pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondle

ONSEMION Semiconductor

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深圳市达恩科技有限公司	NTH4L080N120SC1	ON	24+	NA	3000	进口原装假一罚十现货	询价

更多NTH4L075N065SC1供应商更新时间2025-7-14 16:41:00

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