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NTH4L014N120M3P	文件：329.15 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide SiC MOSFET - 14mohm, 1200V, M3, TO247-4L Features •Typ.RDS(on)=14m@VGS=18V •LowSwitchingLosses(Typ.EON1308Jat74A,800V) •100AvalancheTested •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •SolarInverters •ElectricVehicleChargingStations •UPS(UninterruptiblePowerSupplies) •EnergySto	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTH4L014N120M3P

文件：329.15 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide SiC MOSFET - 14mohm, 1200V, M3, TO247-4L

Features •Typ.RDS(on)=14m@VGS=18V •LowSwitchingLosses(Typ.EON1308Jat74A,800V) •100AvalancheTested •TheseDevicesareRoHSCompliant TypicalApplications •SolarInverters •ElectricVehicleChargingStations •UPS(UninterruptiblePowerSupplies) •EnergySto

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