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NTGD3148N

Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6

文件:82.42 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGD3148NT1G

Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6

文件:82.42 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTGD3148NT1G

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.93762 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTGD3148N

双 N 沟道,功率 MOSFET,20V,3.5A,70mΩ

Power MOSFET, Dual N Channel, 20V, 70mΩ, TSOP6 Package • Low Threshold Levels, VGS(th) \n• Low Gate Charge (Typ. 3.8 nC)\n• Leading Edge Trench Technology of Low RDS(on)\n• High Power and Current Handling Capability;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    20

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.5

  • ID Max (A):

    3

  • PD Max (W):

    1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=100

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=70

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    3.8

  • Ciss Typ (pF):

    300

  • Package Type:

    TSOP-6

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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更多NTGD3148N供应商 更新时间2025-10-12 14:02:00