| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>NTGD3133PT1G>芯片详情
NTGD3133PT1G_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET PFET 20V 2.3A 145MO坤融电子2部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
NTGD3133PT1G
- 功能描述:
MOSFET PFET 20V 2.3A 145MO
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- NTFS0505MC
- NTGD4161PT1G
- NTF6PO2T3G
- NTGD4167CT1G
- NTF6P02T3G
- NTF6P02T1G
- NTGS3130NT1G
- NTF5P03T3G
- NTF5P03T3
- NTGS3136PT1G
- NTF5P03T1G
- NTGS3433T1G
- NTF3055L175T1G
- NTGS3441PT1G
- NTF3055L160T1G
- NTGS3441T1
- NTF3055L108T3G
- NTGS3441T1G
- NTGS3443BT1G
- NTGS3443T1
- NTF3055L108T1G
- NTGS3443T1G
- NTF3055L100T1G
- NTF3055-100T1G-IRH1
- NTF3055-100T1G
- NTGS3443T2G
- NTF3055
- NTGS3446T1
- NTGS3446T1G
- NTF2955T1G
- NTF2955PT1G
- NTGS3455T1G
- NTF2955
- NTGS3A033PZT1G
- NTEFD3KS25NTDG
- NTGS4111PT1G
- NTEFD3JS10NTDG
- NTE5304
- NTGS4141NT1
- NTE4153NT1G
- NTGS4141NT1G
- NTE4151PT1G
- NTE366
- NTGS5120PT1G
- NTE364
- NTE360
- NTH027N65S3F-F155
- NTE359
- NTH0505MC
- NTE353



