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NTF5P03	文件：113.68 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF5P03T3	文件：69.89 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF5P03T3D	文件：69.89 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF5P03T3G	文件：999.72 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 35 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTF5P03T3G	文件：150.1 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 5.2 A, 30 V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTF5P03T3G	文件：113.68 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CHM5P03PAPT	文件：184.76 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT15Ampere FEATURE Smallflatpackage.(TO-252A) HighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
MMFT5P03HD	文件：112.45 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET5Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMFT5P03HD	文件：198.41 Kbytes Page：12 Pages	TMOSMEDIUMPOWERFET5.2AMPERES30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSP-ChannelFieldEffectTransistor MMFT5P03HDisanadvancedpowerMOSFETwhichutilizesMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocess.ThisminiaturesurfacemountMOSFETfeaturesultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.Itiscapableofwithstan	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NVF5P03	文件：113.68 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTF5P03
功能描述：
MOSFET 30V 5.2A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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