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NTE3111	文件：66.5 Kbytes Page：1 Pages	Red Bar Graph Display RedBarGraphDisplay	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3113	文件：71.21 Kbytes Page：2 Pages	Bar Graph Display Features: •Colors: NTE3113(Red) NTE3114(Green)	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3114	文件：71.21 Kbytes Page：2 Pages	Bar Graph Display Features: •Colors: NTE3113(Red) NTE3114(Green)	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3115	文件：20.27 Kbytes Page：2 Pages	Bar Graph Display Description: TheNTE3115(High–EfficiencyRed),NTE3116(HighEfficiencyGreen),andNTE3117(Yellow)are10–segmentbargraphdisplayswithseparateanodesandcathodesforeachlightsegment.Thepackagesareendstackable. Features: LargeSegments,CloselySpaced EndStackable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3116	文件：20.27 Kbytes Page：2 Pages	Bar Graph Display Description: TheNTE3115(High–EfficiencyRed),NTE3116(HighEfficiencyGreen),andNTE3117(Yellow)are10–segmentbargraphdisplayswithseparateanodesandcathodesforeachlightsegment.Thepackagesareendstackable. Features: LargeSegments,CloselySpaced EndStackable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3117	文件：20.27 Kbytes Page：2 Pages	Bar Graph Display Description: TheNTE3115(High–EfficiencyRed),NTE3116(HighEfficiencyGreen),andNTE3117(Yellow)are10–segmentbargraphdisplayswithseparateanodesandcathodesforeachlightsegment.Thepackagesareendstackable. Features: LargeSegments,CloselySpaced EndStackable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE312	文件：24.4 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor Description: TheNTE312isafieldeffecttransistordesignedforVHFamplifierandmixerapplications.TheNTE312comesinaTO–92package. Features: •HighPowerGain:10dBMinat400MHz •HighTransconductance:4000µmhoMinat400MHz •LowCrss:1pFMax •High(Yfs)/Ciss	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3120	文件：19.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Phototransistor Detector Features: •HighSensitivity •GaAsLED–WideSpectralRange,withGaAsLED. •LowDarkCurrent •Side–ViewPlasticPackage	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3122	文件：19.14 Kbytes Page：2 Pages	Phototransistor Silicon NPN, Narrow Acceptance, High Sensitivity, Darlington Features: •EpoxyResinPackage •NarrowAcceptance:∆θ=±13°Typ •HighSensitivity:IC=1.5mAMin@Ee=0.1mW/cm2 •VisibleLightCut–Off Applications: •VCRs,CassetteTapeRecorders •FloppyDiskDrives •OptoelectronicSwitches •AutomaticStroboscopes	NTE NTE Electronics	NTE
NTE3123	文件：20.17 Kbytes Page：2 Pages	Phototransistor Silicon NPN, Intermediate Acceptance, High Sensitivity, Darlington Features: •EpoxyResinPackage •Compact •IntermediateAcceptance:∆θ=±40°Typ •VisibleLightCut–Off Applications: •VCRs •OptoelectronicSwitches	NTE NTE Electronics	NTE

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详细参数

型号：
NTE31
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR NPN 160V
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V
功能描述：
T-NPN-SI-AF DRIVER
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
160V; Transition Frequency Typ
ft：
100MHz; Power Dissipation
Pd：
900mW; DC Collector
Current：
1A; DC Current Gain
hFE：
200; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans GP BJT NPN 160V 1A 3-Pin TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE31		24+	N/A	58000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
上海金庆电子技术有限公司	NTE312		新		63	全新原装货期两周	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NTE311	NTE	专业铁帽	CAN3	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE312		2022+		59	全新原装货期两周	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	NTE317	NTE	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NTE318	原装	1923+	原厂封装	8600	莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多	询价
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