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SI2365EDS	文件：235.01 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMV2365C-LF	文件：71.96 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillator	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
SMV2365C-LF	文件：75.63 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
TCA2365	文件：266.86 Kbytes Page：10 Pages	DUALPOWEROPERATIOANALAMPLIFIER	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
TCA2365A	文件：266.86 Kbytes Page：10 Pages	DUALPOWEROPERATIOANALAMPLIFIER	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
TH2365	文件：97.29 Kbytes Page：2 Pages	TH13TH23 Highintegrationtimemeterreliable. Highperformance,adoptingtheultra-compactsynchronousmotor. CorrespondingtotheCEmarking. ■Features 1.High-performancecompactsynchronousmotoradoption. 2.Designinacompactsizeisrefreshing. 3.simplewireconnection. 4.	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
TLV2365	文件：2.41794 Mbytes Page：38 Pages	TLVx365-Q1Automotive,50MHz,Zero-Crossover,Low-Distortion,High-CMRR,RRI/O,Single-SupplyOperationalAmplifiers 1Features •AEC-Q100qualified –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C •Gainbandwidth:50MHz •Zero-crossoverdistortiontopology: –CMRR:115dB(typical) –Rail-to-railinputandoutput •Input100mVbeyondsupplyrail •Noise:4.5nV/√Hz •Slewrate:27V/μs •Fastsettling:0.2μsto0	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TLV2365	文件：2.20501 Mbytes Page：35 Pages	TLVx36550MHz,Zero-Crossover,High-CMRR,RRIOOperationalAmplifiers 1Features •Gainbandwidth:50MHz •Zero-crossoverdistortiontopology: –CMRR:115dB(typical) –Rail-to-railinputandoutput •Input100mVbeyondsupplyrail •Noise:4.5nV/√Hz •Slewrate:27V/μs •Fastsettling:0.2μsto0.01% •Precision: –Offsetdrift:2μV/°C(maximum) –In	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2365	文件：2.056679 Mbytes Page：31 Pages	TLVx36550-MHz,Zerø-Crossover,High-CMRR,RRIOOperationalAmplifiers 1Features •Gainbandwidth:50MHz •Zerø-crossoverdistortiontopology: –CMRR:115dB(typical) –Rail-to-railinputandoutput •Input100mVbeyondsupplyrail •Noise:4.5nV/√Hz •Slewrate:27V/μs •Fastsettling:0.2μsto0.01% •Precision: –Offsetdrift:2μV/°C(maximum	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2365	文件：2.30282 Mbytes Page：34 Pages	TLVx36550-MHz,Zerø-Crossover,High-CMRR,RRIOOperationalAmplifiers 1Features •Gainbandwidth:50MHz •Zerø-crossoverdistortiontopology: –CMRR:115dB(typical) –Rail-to-railinputandoutput •Input100mVbeyondsupplyrail •Noise:4.5nV/√Hz •Slewrate:27V/μs •Fastsettling:0.2μsto0.01% •Precision: –Offsetdrift:2μV/°C(maximum	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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详细参数

型号：
NTE2365
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
TRANSISTOR NPN SILICON 1500V IC=12A TF=0.2US HIGH VOLTAGE HORIZONTAL DEFLECTION
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR NPN 800V
功能描述：
T-NPN-SI HORIZ OUTPUT
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
800V; Power Dissipation
Pd：
180W; DC Collector
Current：
15A; DC Current Gain
hFE：
8; Operating Temperature
Min：
-55C; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans GP BJT NPN 800V 15A 3-Pin(3+Tab)
功能描述：
Trans GP BJT NPN 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	NTE2365		新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE2365		2022+		1	全新原装货期两周	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE2365	NTE	23+	TO264	39275	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE2365		24+	N/A	82000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE2383	NTE	23+		65480		询价
北京京北通宇电子元件有限公司	NTE2383	NTE ELECTRONICS	24+	con	10000	查现货到京北通宇商城	询价

更多NTE2365供应商更新时间2025-7-25 16:06:00

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