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NTD6416ANLT4G

N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m廓

文件:145.3 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD6416ANLT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:84.9 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD6416ANL

单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 100V,19A,74mΩ

Power MOSFET 100V 19A 74 mOhm Single N-Channel DPAK Logic Level • Low RDS(on)\n• Minimal conduction losses\n• High Current Capability\n• Robust load performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Voltage overstress safeguard\n• RoHS Compliant\n• RoHS compliance;

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    100

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    2.2

  • ID Max (A):

    19

  • PD Max (W):

    71

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    74

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    16.1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    25

  • Ciss Typ (pF):

    700

  • Package Type:

    DPAK-3

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更多NTD6416ANL供应商 更新时间2026-1-22 17:40:00