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NTD4960N-1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
NTD4960N-1G
- 功能描述:
MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2020+ |
TO252 |
80000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
125 |
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询价 | ||
ON |
20+ |
TO-252 |
65300 |
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ON |
23+ |
TO-252 |
66800 |
只上传原装现货 |
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ON Semiconductor |
23+ |
TO2513 Stub Leads IPak |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2048+ |
TO-251 |
9851 |
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ON |
TO-251 |
699839 |
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询价 | |||
ON/安森美 |
2022 |
TO-251 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
ON |
22+ |
DPAK |
2568 |
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ON |
2020+ |
DPAK |
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