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NTD4860NT4G	文件：1.01684 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01684 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD4860N	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，25V，65A，7.5mΩ Power MOSFET Single N Channel, 25V, 65A, DPAK/IPAK • Low Capacitance \n• Minimize Driver Losses\n• Optimized Gate Charge\n• Minimize Switching Losses\n• Low Rds(on)\n• Minimize Conduction Losses\n• Trench Technology;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
25
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.5
ID Max (A)：
65
PD Max (W)：
29.4
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
11.1
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
11
Ciss Typ (pF)：
1308
Package Type：
DPAK-3

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更多NTD4860供应商更新时间2026-1-18 16:01:00

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