| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemiDPAK |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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10年
留言
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ON/安森美NA |
30000 |
25+ |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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10年
留言
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ON/安森美NA |
12820 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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5年
留言
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ONTO-252 |
50 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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12年
留言
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ON/安森美N/A |
137500 |
22+ |
现货,原厂原装假一罚十! |
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4年
留言
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ON/TO-252 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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6年
留言
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ON-安森美TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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ON/安森美TO-251 |
38900 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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12年
留言
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ON/TO-252 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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7年
留言
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onsemiDPAK |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemiDPAK |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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3年
留言
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ON/安森美TO-252 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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5年
留言
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ON SemiconductorTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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ON/安森美SOT252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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7年
留言
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ONTO-252 |
50 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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12年
留言
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ON/安森美NA |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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ONTO-252 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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5年
留言
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ON SemiconductorTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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NTD3817NT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTD3808N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
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NTD3808N-35G功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD3808NT4G功能描述:MOSFET N-CH 16V 12A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD3813N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
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NTD3813N-35G功能描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD3813NT4G功能描述:MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTD3817N制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 16 V, 34.5 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK
NTD3817N-1G功能描述:MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
































