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NTD32N06L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NTD32N06L

功能描述

功率 MOSFET,60V,32A,28mΩ,单 N 沟道,DPAK,逻辑电平

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NTD32N06L规格书详情

描述 Description

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

特性 Features

• Smaller Package than MTB30N06VL
• Lower RDS(on)
• Lower VDS(on)
• Lower Total Gate Charge
• Lower and Tighter VSD
• Lower Diode Reverse Recovery Time
• Lower Reverse Recovery Stored Charge
• Pb-Free Packages are Available

应用 Application

Power Supplies Converters Power Motor Controls Bridge Circuits

技术参数

  • 型号:

    NTD32N06L

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 32A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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