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NTD20N06-1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTD20N06-1G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

80.12 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-20 12:00:00

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NTD20N06-1G规格书详情

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, N−Channel DPAK

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

特性 Features

• Pb−Free Packages are Available

• Lower RDS(on)

• Lower VDS(on)

• Lower Capacitances

• Lower Total Gate Charge

• Lower and Tighter VSD

• Lower Diode Reverse Recovery Time

• Lower Reverse Recovery Stored Charge

Typical Applications

• Power Supplies

• Converters

• Power Motor Controls

• Bridge Circuits

产品属性

  • 型号:

    NTD20N06-1G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 20A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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