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NTD110N02R	文件：260.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 24V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.1mΩ(TYP.)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTD110N02R	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02R	文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02R_14	文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02R-001	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02R-001G	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02RG	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02RT4	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02RT4G	文件：102.59 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：102.59 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD110N02RT4G	文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.11 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
24
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
110
PD Max (W)：
2.88
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
6.2
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.6
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23.6
Ciss Typ (pF)：
2710
Package Type：
DPAK-3

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