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NTCR013N120M3S	文件：176.76 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13mohm, 1200V, M3S, Die Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsinc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTCR013N120M3S

文件：176.76 Kbytes

Page：8 Pages

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13mohm, 1200V, M3S, Die

Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsinc

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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利广微科技（深圳)有限公司	NTCS0402E3103FL1T	BCCOMPONENTSVISHAY		标准封装	58998	一级代理原装正品现货期货均可订购	询价
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更多NTCR013N120M3S供应商更新时间2024-9-21 14:00:00

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