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NVHL045N065SC1	文件：306.65 Kbytes Page：8 Pages	SiliconCarbide(SiC)MOSFET–32mohm,650V,M2,TO-247-3L Features •Typ.RDS(on)=32m@VGS=18V Typ.RDS(on)=42m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100%AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSComplia	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NVHL045N065SC1

文件：306.65 Kbytes

Page：8 Pages

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–32mohm,650V,M2,TO-247-3L

Features •Typ.RDS(on)=32m@VGS=18V Typ.RDS(on)=42m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=105nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=162pF) •100%AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSComplia

ONSEMION Semiconductor

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