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NTB75N03-06中文资料功率 MOSFET,30 V,75A,8mΩ,单 N 沟道,D2PAK数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTB75N03-06

功能描述

功率 MOSFET,30 V,75A,8mΩ,单 N 沟道,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 20:30:00

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NTB75N03-06规格书详情

描述 Description

此 20 VGS 门极驱动垂直功率 MOSFET 是一款通用型零件,采用低成本功率封装,提供了当今“最佳设计”。雪崩能量温度使得此零件成为雪崩和换相模式下的理想设计。该漏极-源极二极管具有理想的快速软恢复。

特性 Features

• Ultra-Low RDS(on), Single Base, Advanced Technology
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• High Avalanche Energy Specified
• Pb-Free Packages are Available

应用 Application

Power Supplies Inductive Loads PWM Motor Controls Replaces MTP1306 and MTB1306 in Many Applications

技术参数

  • 型号:

    NTB75N03-06

  • 制造商:

    ONSEMI

  • 制造商全称:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts N−Channel TO−220 and D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
12+
TO263
800
原装现货价格有优势量大可以发货
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ON/安森美
22+
SOT-263
100000
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