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LNK6448D-TL	文件：2.3484 Mbytes Page：18 Pages	Energy-Efficient,AccuratePrimary-SideRegulationCV/CCSwitcherforAdaptersandChargers DramaticallySimplifiesCV/CCConverters •EliminatesoptocouplerandallsecondaryCV/CCcontrolcircuitry •Eliminatesallcontrolloopcompensationcircuitry AdvancedPerformanceFeatures •Compensatesfortransformerinductancetolerances •Compensatesforinputlinevoltagevariations •	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
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LNK6448K	文件：2.3484 Mbytes Page：18 Pages	Energy-Efficient,AccuratePrimary-SideRegulationCV/CCSwitcherforAdaptersandChargers DramaticallySimplifiesCV/CCConverters •EliminatesoptocouplerandallsecondaryCV/CCcontrolcircuitry •Eliminatesallcontrolloopcompensationcircuitry AdvancedPerformanceFeatures •Compensatesfortransformerinductancetolerances •Compensatesforinputlinevoltagevariations •	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
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MAX6448UK	文件：164.05 Kbytes Page：13 Pages	uPResetCircuitswithLongManualResetSetupPeriod	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6448	文件：354.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETLow-VoltageDriverSwitchingDeviceApplications Low-VoltageDriverSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=17mΩ(typ.) •1.2Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6448	文件：489.08 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDriverSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6448	文件：555.25 Kbytes Page：5 Pages	SingleN-ChannelPowerMOSFET Features •LowOn-Resistance •1.2VDrive •ESDDiode-ProtectedGate •Pb-Free,HalogenFreeandRoHSCompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6448	文件：475.52 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTB6448ANG
功能描述：
MOSFET NFET D2PAK 100V 80A 14MO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTB6448ANG供应商更新时间2025-7-25 16:13:00

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