NTB5405NG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
NTB5405NG
- 功能描述：
MOSFET NFET 40V 116A PB
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
O |
24+ |
D2-PAK |
80000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
25+ |
TO263 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO263 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
ON |
2023+ |
D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
20+ |
D2PAK3LEAD |
36900 |
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询价 | ||
ON |
2018+ |
TO263 |
6528 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 |
