选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-263 |
5 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO263 |
7906200 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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ONNN/A |
4000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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ONSOT263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiD2PAK |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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OND2PAK3LEAD |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
3571 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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ONTO263 |
5668 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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ON SemiconductorN/A |
925 |
2010+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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MOTTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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ON/安森美TO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-263-3 |
6000 |
23+ |
只做原装,假一赔十 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
NTB3采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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NTB35N15T4G价格
NTB35N15T4G价格:¥11.0766品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTB35N15T4G多少钱,想知道NTB35N15T4G价格是多少?参考价:¥11.0766。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTB35N15T4G批发价格及采购报价,NTB35N15T4G销售排行榜及行情走势,NTB35N15T4G报价。
NTB35N15T4G中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB30N06制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30Amps, 60 Volts, N-Channel TO-220
NTB30N06G功能描述:MOSFET NFET 60V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06L功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06LG功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06LT4功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06T4功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N06T4G功能描述:MOSFET 60V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N20功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB30N20G功能描述:MOSFET 200V 30A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube