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NT812C	文件：207.69 Kbytes Page：2 Pages	Cast aluminum enclosed housing	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
NTE812	文件：21.01 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitAudioPowerAmplifier,1W Description: TheNTE812isamonolithicintegratedcircuitina14–LeadDIPtypepackagedesignedforuseindriverandpoweramplifierapplicationsatfrequenciesfrom50Hzto40kHz.Thisdevicewilldeliverupto1WRMSoutputpowerintoan8Ωload.Thehighinputimpedanceandlowstandbycurr	NTE NTE Electronics	NTE
OPL812	文件：604.71 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOLOGICHERMETICSENSORS Features: ●Fouroutputoptions ●Highnoiseimmunity ●DirectTTL/LSTTLinterface ●TO-18hermeticpackage ●MechanicallyandspectrallymatchedtotheOP130seriesdevices ●Twosensitivityoptions ●Datarate200kBaud	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPL812-OC	文件：604.71 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOLOGICHERMETICSENSORS Features: ●Fouroutputoptions ●Highnoiseimmunity ●DirectTTL/LSTTLinterface ●TO-18hermeticpackage ●MechanicallyandspectrallymatchedtotheOP130seriesdevices ●Twosensitivityoptions ●Datarate200kBaud	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPL812-OC	文件：1.64679 Mbytes Page：15 Pages	PhotologicHermeticSensors Description: AllOPL800,OPL801,OPL820andOPL821sensorsconsistofaphotodiode,alinearamplifierandaSchmitttriggeronasinglesiliconchip(monolithicchipforOPL820andOPL821).OPL810,OPL811,OPL812andOPL813sensorsalsohaveavoltageregulatoraddedtotheirphotologicchips.E	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PC812	文件：67.15 Kbytes Page：4 Pages	HighNoiseResistanceTypePhotocoupler ■Features 1.Highnoisereduction (Commonmoderejectionvoltage VCM:TYP.1.5kVatdV/dt=2kV/µs, RL=470Ω,Vnp=100mV) 2.Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.90atIF=5mA,VCE=5V) 3.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput(Viso:5000Vrms) 4.	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC812	文件：70.35 Kbytes Page：4 Pages	HighNoiseResistanceTypePhotocoupler ■Features 1.Highnoisereduction (Commonmoderejectionvoltage VCM:TYP.1.5kVatdV/dt=2kV/µs, RL=470Ω,Vnp=100mV) 2.Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.90atIF=5mA,VCE=5V) 3.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput(Viso:5000Vrms) 4.	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC812A	文件：70.35 Kbytes Page：4 Pages	HighNoiseResistanceTypePhotocoupler ■Features 1.Highnoisereduction (Commonmoderejectionvoltage VCM:TYP.1.5kVatdV/dt=2kV/µs, RL=470Ω,Vnp=100mV) 2.Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.90atIF=5mA,VCE=5V) 3.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput(Viso:5000Vrms) 4.	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC812B	文件：70.35 Kbytes Page：4 Pages	HighNoiseResistanceTypePhotocoupler ■Features 1.Highnoisereduction (Commonmoderejectionvoltage VCM:TYP.1.5kVatdV/dt=2kV/µs, RL=470Ω,Vnp=100mV) 2.Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.90atIF=5mA,VCE=5V) 3.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput(Viso:5000Vrms) 4.	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
PC812C	文件：70.35 Kbytes Page：4 Pages	HighNoiseResistanceTypePhotocoupler ■Features 1.Highnoisereduction (Commonmoderejectionvoltage VCM:TYP.1.5kVatdV/dt=2kV/µs, RL=470Ω,Vnp=100mV) 2.Highcurrenttransferratio (CTR:MIN.90atIF=5mA,VCE=5V) 3.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput(Viso:5000Vrms) 4.	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

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