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NT1GD64S8HB0FM	文件：300 bytes Page：1 Pages	1GB, 512MB and 256MB 200 pin Unbuffered DDR SO-DIMM Based on DDR333 512Mb bit B Die device Description\nNT1GD64S8HB0FM, NT512D64SH8B0GM, NT256D64SH4B0GM, NT1GD64S8HB0FN, NT512D64SH8B0GN, and NT256D64SH4B0GN are un-buffered 200-Pin Double Data Rate (DDR) Synchronous DRAM Small Outline Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM). All devices on these modules are based on Nanya’s 110nm die B genera	Nanya 南亚科	Nanya
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