| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>NSVMSD601-RT1G>芯片详情
NSVMSD601-RT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 ONSEMI/安森美半导体
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:NSVMSD601-RT1G品牌:ON/安森美
只做原装
NSVMSD601-RT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装SOT-23/的NSVMSD601-RT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
NSVMSD601-RT1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 描述:
TRANS NPN 50V BIPOLAR SC59-3
供应商
相近型号
- NSVMUN2237T1G
- NSVMSA1162GT1G
- NSVMUN5111DW1T3G
- NSVMMUN2335LT1G
- NSVMUN5113DW1T3G
- NSVMMUN2237LT1G
- NSVMUN5116T1G
- NSVMMUN2236LT1G
- NSVMUN5116T1G-M02
- NSVMUN5131T1G
- NSVMMUN2235LT1G
- NSVMUN5132T1
- NSVMMUN2233LT3G-M01
- NSVMUN5132T1G
- NSVMMUN2233LT3G
- NSVMUN5133DW1T1G
- NSVMMUN2232LT3G
- NSVMUN5134T1G
- NSVMUN5135DW1T1G
- NSVMMUN2232LT1G-PD
- NSVMUN5136T1G
- NSVMMUN2232LT1G
- NSVMUN5137DW1T1G
- NSVMMUN2232LT1
- NSVMUN5211DW1T2G
- NSVMMUN2231LT1G
- NSVMUN5211DW1T3G
- NSVMMUN2230LT1G
- NSVMUN5212DW1T1G
- NSVMMUN2217LT1G
- NSVMUN5212DW1T1GIC
- NSVMUN5213DW1T3G
- NSVMMUN2212LT1G-M01
- NSVMUN5214DW1T3G
- NSVMMUN2212LT1G
- NSVMUN5215DW1T1G
- NSVMMUN2137LT1G
- NSVMUN5216T1G
- NSVMMUN2136LT1G
- NSVMUN5233DW1T3G
- NSVMMUN2135LT1G
- NSVMMUN2133LT1G
- NSVMUN5234T1G
- NSVMMUN2132LT1G-M01
- NSVMUN5235DW1T1G
- NSVMMUN2132LT1G
- NSVMUN5236T1G
- NSVMMUN2131LT1G
- NSVMUN5237T1G
- NSVMMUN2130LT1G



