首页>NSVMMUN2237LT1G>规格书详情

NSVMMUN2237LT1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

NSVMMUN2237LT1G
厂商型号

NSVMMUN2237LT1G

参数属性

NSVMMUN2237LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

功能描述

Digital Transistors (BRT)
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

140.63 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-6-26 11:26:00

人工找货

NSVMMUN2237LT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NSVMMUN2237LT1G规格书详情

NSVMMUN2237LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的NSVMMUN2237LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NSVMMUN2237LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23-3
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
ON/安森美
23+
SMD
36687
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
24+
N/A
75000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
NK/南科功率
2025+
SOT-323-3
986966
国产
询价
ON/安森美
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ON
24+
SOT-23 (TO-236)
25000
ON全系列可订货
询价
ON/安森美
24+
SOT323
54000
郑重承诺只做原装进口现货
询价
ON/安森美
20+
SOT-323
120000
只做原装 可免费提供样品
询价