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NSVMMUN2233LT3G分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

NSVMMUN2233LT3G
厂商型号

NSVMMUN2233LT3G

参数属性

NSVMMUN2233LT3G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

功能描述

Digital Transistors (BRT) R1 = 4.7 k, R2 = 47 k
TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

文件大小

110.08 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-2 14:16:00

NSVMMUN2233LT3G规格书详情

NSVMMUN2233LT3G属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。安森美半导体公司制造生产的NSVMMUN2233LT3G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

  • 产品编号:

    NSVMMUN2233LT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
21+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
询价
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ON/安森美
SOT23
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
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onsemi(安森美)
23+
SOT-23-3
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只做原装 假一赔万
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8000
原厂原装现货
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ON(安森美)
标准封装
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ON/安森美
NA
36670
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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