NSVMMBTH81LT1G_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-安森美半导体

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3000+	¥0.92535

厂家型号：
NSVMMBTH81LT1G
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
托盘
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-10-30 18:09:00

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原厂料号：NSVMMBTH81LT1G品牌：onsemi

资料说明：SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

NSVMMBTH81LT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的NSVMMBTH81LT1G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
NSVMMBTH81LT1G
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
资料说明：
SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

产品属性

类型
描述
产品编号：
NSVMMBTH81LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP
电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
频率 - 跃迁：
600MHz
功率 - 最大值：
225mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

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NSVMMBTH81LT1G

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